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介質損耗測試儀AT-C

簡要描述:介質損耗測試儀AT-C
介電常數介質損耗測試儀滿足標準:GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長在內)下電容率和介質損耗因數的推薦方法
一、介電常數介質損耗測試儀概述
GDAT高頻 Q 表作為一代的通用、多用途、多量程的阻抗測試儀器,測試頻率上限達到目前國內Z高的160MHz。

  • 產品型號:
  • 廠商性質:生產廠家
  • 更新時間:2018-03-05
  • 訪  問  量:332

詳細介紹

     介質損耗測試儀AT-C

介電常數介質損耗測試儀滿足標準:GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長在內)下電容率和介質損耗因數的推薦方法
一、介電常數介質損耗測試儀概述

GDAT高頻 Q 表作為一代的通用、多用途、多量程的阻抗測試儀器,測試頻率上限達到目前高的160MHz。
GDAT高頻 Q 表采用了多項技術:

雙掃描技術 - 測試頻率和調諧電容的雙掃描、自動調諧搜索功能。 
雙測試要素輸入 - 測試頻率及調諧電容值皆可通過數字按鍵輸入。 
雙數碼化調諧 - 數碼化頻率調諧,數碼化電容調諧。 
自動化測量技術 -對測試件實施 Q 值、諧振點頻率和電容的自動測量。 
全參數液晶顯示 – 數字顯示主調電容、電感、 Q 值、信號源頻率、諧振指針。 
DDS 數字直接合成的信號源 -確保信源的高葆真,頻率的高精確、幅度的高穩定。 
計算機自動修正技術和測試回路*化 —使測試回路 殘余電感減至zui低,徹底根除 Q 讀數值在不同頻率時要加以修正的困惑。 
gdat高頻Q表的創新設計,無疑為高頻元器件的阻抗測量提供了*的解決方案,它給從事高頻電子設計的工程師、科研人員、高校實驗室和電子制造業提供了更為方便的檢測工具
,測量值更為精確,測量效率更高。使用者能在儀器給出的任何頻率、任意點調諧電容值下檢測器件的品質,無須關注量程和換算單位。 
一、介電常數介質損耗試驗儀概述
介質損耗和介電常數是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復合材料等的一項重要的物理性質,通過測定介質損耗角正切tanδ及介電常數(ε),可進一步了解影響介質損耗和介電常數的各種因素,為提高材料的性能提供依據;儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測試。它以單片計算機作為儀器的控制,測量核心采用了頻率數字鎖定,標準頻率測試點自動設定,諧振點自動搜索,Q值量程自動轉換,數值顯示等新技術,改進了調諧回路,使得調諧測試回路的殘余電感減至zui低,并保留了原Q表中自動穩幅等技術,使得新儀器在使用時更為方便,測量值更為精確。儀器能在較高的測試頻率條件下,測量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質損耗,高頻回路有效并聯及串聯電阻,傳輸線的特性阻抗等。
該儀器用于科研機關、學校、工廠等單位對無機非金屬新材料性能的應用研究。
 
  主要技術特性  
Q 值測量范圍  2 ~ 1023 , 量程分檔: 30 、 100 、 300 、 1000 ,自動換檔或手動換檔  
固有誤差  ≤ 5 % ± 滿度值的 2 %( 200kHz ~ 10MHz ), ≤6% ± 滿度值的2%(10MHz~160MHz)  
工作誤差  ≤7% ± 滿度值的2% ( 200kHz ~ 10MHz ), ≤8% ± 滿度值的2%(10MHz~160MHz)  
電感測量范圍  4.5nH ~ 140mH  
電容直接測量范圍  1 ~ 200pF  
主電容調節范圍  18 ~ 220pF  
主電容調節準確度  100pF 以下 ± 1pF ; 100pF 以上 ± 1 %  
信號源頻率覆蓋范圍  100kHz ~ 160MHz  
頻率分段 ( 虛擬 )  100 ~ 999.999kHz , 1 ~ 9.99999MHz,10 ~ 99.9999MHz , 100 ~ 160MHz  
頻率指示誤差  3 × 10 -5 ± 1 個字 

搭配了全新的介質損耗裝置與GDAT系列q表搭配使用
一 . 概述

BD916介質損耗測試裝置與本公司生產的各款高頻Q表配套,可用于測量絕緣材料的介電常數和介質損耗系數(損耗角正切值)。
BD916介質損耗測試裝置是BD916914的換代產品,它采用了數顯微測量裝置,因而讀數方便,數據精確。
測試裝置由一個LCD數字顯示微測量裝置和一對間距可調的平板電容器極片組成。
平板電容器極片用于夾持被測材料樣品,微測量裝置則顯示被測材料樣品的厚度。
BD916介質損耗測試裝置須配用Q表作為調諧指示儀器,通過被測材料樣品放進平板電容器和不放進樣品時的Q值變化,測得絕緣材料的損耗角正切值。
從平板電容器平板間距的讀值變化則可換算得到絕緣材料介電常數。


BD916介質損耗測試裝置技術特性

平板電容器: 極片尺寸:Φ50mm/Φ38mm 可選       
極片間距可調范圍:≥15mm 
2. 夾具插頭間距:25mm±0.01mm 
3. 夾具損耗正切值≤4×10-4 (1MHz) 
4.測微桿分辨率:0.001mm
 
電感:
 
線圈號    測試頻率    Q值    分布電容p       電感值  
  9         100KHz      98       9.4           25mH
  8         400KHz     138       11.4        4.87mH
  7         400KHz    202       16           0.99mH
  6           1MHz     196       13          252μH
  5           2MHz     198       8.7        49.8μH
  4         4.5MHz    231       7             10μH 
  3          12MHz      193     6.9         2.49μH
  2          12MHz      229     6.4        0.508μH
             
  1   25MHz,50MHz   233,211    0.9       0.125μH

AT-C介質損耗測試儀

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